IT之家 4 月 8 日消息，韩国媒体《hankooki》当地时间 3 日报道称，SK 海力士的 1c nm（IT之家注：即第六代 10 纳米级）DRAM 内存工艺近期良率约为 80%，较去年下半年的六成有明显提升。一般而言 DRAM 内存工艺在良率达到 80%~90% 时就可进入正式量产，可以说